基体外表状况对镀层布局的影响

　　真空镀膜层是由晶体或晶粒组成的，晶体的大小、形状及摆放方法决议着镀层的布局特性。在各种不一样的电镀液中，金属镀层的布局特性也是不一样的，主要是堆积进程不一样所造成的。开端电镀时，基体资料外表首要生成一些纤细的小点，即结晶核，跟着时刻添加，单个结晶数量添加，并相互衔接成片，构成镀层。

众所周知，玻璃真空镀膜厂，在某些材料的表面上，只要镀上一层薄膜，就能使材料具有许多新的、良好的物理和化学性能。20世纪70年代，玻璃真空镀膜工厂，在物体表面上镀膜的方法主要有电镀法和化学镀法。前者是通过通电，玻璃真空镀膜厂家，使电解液电解，被电解的离子镀到作为另一个电极的基体表面上，因此这种镀膜的条件，基体必须是电的良导体，而且薄膜厚度也难以控制。后者是采用化学还原法，必须把膜材配制成溶液，并能迅速参加还原反应，这种镀膜方法不仅薄膜的结合强度差，而且镀膜既不均匀也不易控制，更合玻璃真空镀膜，同时还会产生大量的废液，造成严重的污染。因此，这两种被人们称之为湿式镀膜法的镀膜工艺受到了很大的限制。

真空镀膜是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术，在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。

与传统化学镀膜方法相比，真空镀膜有很多优点：如对环境无污 染，是绿色环保工艺；对操作者无伤害；膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强，膜厚均匀。真空镀膜技术中经常使用的方法主要有：蒸发镀膜（包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术）、溅射镀膜（包 括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术），这些方法统称物理气相沉积， 简称为PVD。与之对应的化学气相沉积简称为CVD技术。

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